• 三极管击穿三极管的软击穿
    发布日期:2019-07-29 04:24   来源:未知   阅读:

  击穿时PN结的温度上升,如果还没有破坏PN结的结构,则造成击穿的条件去除后,PN结的功能能够得到恢复或部分恢复,就可认为不是硬击穿或称为软击穿。

  软击穿则可使器件的性能劣化,并使其指标参数降低而造成故障隐患。由于软击穿可使电路时好时坏(指标参数降低所致),且不易被发现,给整机运行和查找故障造成很烦。软击穿时装备仍能带病工作,性能未发生根本变化,但随时可能造成再次失效。多次软击穿就能造成硬击穿,使电子装备运行不正常。不仅IC、二极管、三极管会发生软击穿,电容器也会发生软击穿:电容两端的电荷,随着通电时间的增长,积累到一定程度之后,如果电容的质量不好,内部的电解质发生变化而产生的一种电容击穿短路现象,它与温度的高低并无直接的关系。关机后电容失去外加电压,自然放电完毕后电解质可暂时复原,容量也可恢复正常。

  在一些特定的情况下三极管的特性变坏,比如电压比较高时(还没到真正的击穿电压),或温度较高等等。用万用表测量不出来性能已经变坏,但是装在电路上却不能正常工作。另外一种就是轻微击穿。比如二极管,用万用表测试,其反向电阻变小,有漏电现象。又比如电视机的行输出高压整流二极管发生软击穿时,将导致阳极高压上不去,产生图象暗淡、散焦等现象。

  软击穿主要是由于器件的使用时间过长或是长期工作在恶劣条件下老化而产生的。出现软击穿的三极管,性能也已经下降很多,一般也应该进行更换,但应急情况下还可暂时坚持工作,只是随时都可能变成硬击穿而完全不能工作。

  三极管的发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区发射的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区发射的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。

  高频三极管的结构多为扩散型管,它的PN结反向击穿电压较低。低频三极管多采用合金型结构,它的PN结反向击穿电压较高。可以利用这两种三极管在结构上的不同,用万用表不同欧姆挡量程表内电压的不同,通过检测PN结是否击穿来对高、低频三极管进行判断测量。具体方法如下:

  将万用表置Rx1k档,测量发射结的反向电阻(对于NPN型三极管,负表笔接发射极,正表笔接基极;对于PNP型三极管,则正表笔接发射极,负表笔接基极)。然后,将万用表改至Rx10k再次测量反向电阻。若此时万用表指针偏转一个较大的角度,则可判断被测三极管是高频管;若万用表指针偏转很小的角度,则可判断被测三极管是低频管。

  需要说明的是,由于三极管PN结反向击穿电压大小不同,再加上不同万用表内的电池电压也不相同,这种判断方法不是很准确的。

  晶体三极管出现之前是真空电子三极管在电子电路中以放大、开关功能控制电流。

  二战时,军事上急切需要一种稳定可靠、www.295999.com,快速灵敏的电信号放大元件,研究成果在二战结束后获得。

  早期,由于锗晶体较易获得,主要研制应用的是锗晶体三极管。硅晶体出现后,由于硅管生产工艺很高效,锗管逐渐被淘汰。

  发射区高掺杂:为了便于发射结发射电子,发射区半导体掺浓度高于基区的掺杂浓度,且发射结的面积较小;

  集电结面积大:集电区与发射区为同一性质的掺杂半导体,但集电区的掺杂浓度要低,面积要大,便于收集电子。

  工艺结构在半导体产业相当重要,PN结不同材料成份、尺寸、排布、掺杂浓度和几何结构,能制成各样各样的元件,包括IC。

  集-射极电压UCE为某特定值时,基极电流IB与基-射电压UBE的关系曲线。

  UBER是三极管启动的临界电压,它会受集射极电压大小的影响,正常工作时,NPN硅管启动电压约为0.6V;

  UCE增大,特性曲线右移,但当UCE1.0V后,特性曲线几乎不再移动。

  基极电流IB一定时,集极IC与集-射电压UCE之间的关系曲线,是一组曲线 ,称为三极管处于截止状态,相当于开关断开;

  当IB0时, IB轻微的变化,会在IC上以几十甚至百多倍放大表现出来;

  当IB很大时,IC变得很大,不能继续随IB的增大而增大,三极管失去放大功能,表现为开关导通。

  信号频率在某一范围内,β值接近一常数,当频率越过某一数值后,β值会明显减少。

  • 上周末联赛,河床作客以1-0击败帕特罗纳图,成功从各项赛事5连不胜的怪圈走出。不过这颗决定赛果的进球是来自比赛读秒阶段,对方不慎踢进的乌龙球,河床能够取胜纯属侥幸。

  β值随集电极电流IC的变化而变化,IC为mA级别时β值较小。一般地,小功率管的放大倍数比大功率管的大。

  ICEO是由少数载流子漂移运动形成的,它与环境温度关系很大,ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃,ICEO将增加一倍。

  虽然常温下硅管的漏电流ICEO很小,但温度升高后,漏电流会高达几百微安以上。

  进行无端的恶意揣测,在相貌上评头论足,这些都没有意义,但是由于释永信身上有这么多耀眼的光环,公众对他的质疑理应得到回应。面对追问,不仅是释永信本人和少林寺,释永信所属的相关机构恐怕都有责任进行澄清。

  温度上升,β、IC将增大,UCE将下降,在电路设计时应考虑采取相应的措施,如远离热源、散热等,克服温度对三极管性能的影响。

  当前,塑料封装是三极管的主流封装形式,其中“TO”和“SOT”形式封装最为常见。

  规律一:对中大功率三极管,集电极明显较粗大甚至以大面积金属电极相连,多处于基极和发射极之间;

  规律二:对贴片三极管,面向标识时,左为基极,右为发射极,集电极在另一边;

  集/射极间电压UCEUBVCEO时,三极管产生很大的集电极电流击穿,造成永久性损坏。

  ——坚持尊重规律。遵循科技人才发展和科研规律,科学设立评价目标、指标、方法,引导科研人员潜心研究、追求卓越。加强顶层设计,统筹和精简“三评”工作,简化优化流程,为科研人员和机构松绑减负,并形成长效机制。

  随着工作频率的升高,三极管的放大能力将会下降,对应于β=1 时的频率ƒT叫作三极管的特征频率。

  新疆生产建设兵团第十三师财政局财政专户资金存放代理银行采购项目(第二包:失业保险基金财政专户)

  新疆生产建设兵团第十三师财政局财政专户资金存放代理银行采购项目(第二包:失业保险基金财政专户)

  临沂市国土资源局执法监察支队关于非法采矿和破坏性采矿造成矿产资源破坏的价值鉴定项目

Power by DedeCms